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專利名稱: 采用有源層圖形化制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管的方法
專利類別:
申請?zhí)?/strong>: 200810240085.5
申請日期: 2008-12-17
專利號: CN101752508A
第一發(fā)明人: 劉舸 劉明 劉興華 商立偉 王宏 柳江
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實施情況:
專利證書號:
專利摘要: 本發(fā)明公開了一種采用有源層圖形化制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管的方法,包括:在絕緣襯底上涂敷光刻膠;光刻得到柵電極圖形;蒸發(fā)或沉積金屬電極材料;用丙酮剝離不需要的金薄膜得到器件的柵電極圖形;在柵電極上蒸發(fā)或沉積一層絕緣介質(zhì)層材料;在絕緣介質(zhì)層材料上勻膠后光刻得到器件源漏電極的圖形;再次蒸發(fā)或沉積金屬電極材料,剝離后得到器件的源漏電極圖形;沉積生長有機(jī)半導(dǎo)體薄膜,完成有源層圖形化的有機(jī)場效應(yīng)晶體管的制備。利用本發(fā)明,對有源層的圖形化工藝簡單,沒有增加光刻步驟,主要依靠柵介質(zhì)的臺階特性實現(xiàn)器件隔離和有源層的圖形化。另外,本方法也與成熟的光刻工藝兼容,降低了成本,有利于工業(yè)生產(chǎn)。
其它備注: