| 專利名稱: | 一種用于測試阻變存儲器性能指標的限流電路 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910077527.3 |
| 申請日期: | 2009-01-21 |
| 專利號: | CN101783183A |
| 第一發(fā)明人: | 余兆安 龍世兵 劉明 張森 劉琦 柳江 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種用于測試阻變存儲器性能指標的限流電路，該限流電路至少包括電壓比較器、單刀雙擲模擬開關、RRAM器件和限流MOS管；其中，讀寫擦脈沖信號被分為兩路輸入到本電路中，一路信號輸入到電壓比較器中，用于區(qū)分讀寫擦電壓，依據(jù)讀寫擦脈沖信號的操作電平來調(diào)節(jié)所述電壓比較器的參考電壓，并將所述電壓比較器輸出的電平作為所述單刀雙擲模擬開關的控制信號，通過此控制信號，來決定在此操作電壓下是否選通到所述限流MOS管支路或接地；另一路信號直接加到待測的RRAM器件上，提供操作電壓。利用本發(fā)明，完成了對RRAM存儲器的限流測試，并可靠地測出制備的存儲器樣片的性能指標，解決了RRAM存儲器在脈沖測試方式下set過程的限流問題。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出