| 專利名稱: | 抑制高k柵介質(zhì)/金屬柵結(jié)構(gòu)界面層生長(zhǎng)的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910077522.0 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-01-21 |
| 專利號(hào): | CN101783298A |
| 第一發(fā)明人: | 王文武 陳世杰 陳大鵬 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種抑制高介電常數(shù)(k)柵介質(zhì)/金屬柵結(jié)構(gòu)在高溫退火下界面層生長(zhǎng)的方法，該方法包括：在硅襯底上生長(zhǎng)SiO2界面層；在SiO2界面層上沉積高k柵介質(zhì)層；在高k柵介質(zhì)層上沉積金屬柵電極；以及在金屬柵電極上沉積一層多晶硅帽層。利用本發(fā)明，可以達(dá)到在高溫條件下阻止退火環(huán)境中的氧分子擴(kuò)散到SiO2/Si界面，進(jìn)而與Si襯底反應(yīng)生成SiO2層的目的。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出