| 專利名稱: | 一種納米電子器件及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910077523.5 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-01-21 |
| 專利號(hào): | CN101783364A |
| 第一發(fā)明人: | 龍世兵 劉明 李維龍 賈銳 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種用納米晶材料作為庫(kù)侖島的納米電子器件及其制作方法。在一對(duì)納米電極之間生長(zhǎng)納米晶材料，納米電極作為器件的源和漏，納米晶作為庫(kù)侖島，納米電極下的絕緣介質(zhì)作為柵介質(zhì)，絕緣介質(zhì)下的硅襯底作為柵電極。這種納米電子器件及其制造方法具有簡(jiǎn)單、穩(wěn)定可靠、工藝步驟少、與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容的優(yōu)點(diǎn)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出