| 專利名稱: | 帶有自整流效應(yīng)的非易失電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910077518.4 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-01-21 |
| 專利號(hào): | CN101783388A |
| 第一發(fā)明人: | 劉明 劉琦 龍世兵 管偉華 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種帶有自整流效應(yīng)的非易失電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器，該非易失電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器由上Pt電極、下Pt電極、二元過渡族金屬氧化物薄膜和PtOx界面層構(gòu)成，其中，二元過渡族金屬氧化物薄膜位于上Pt電極與下Pt電極之間，PtOx界面層位于二元過渡族金屬氧化物薄膜與下Pt電極之間。本發(fā)明提供的帶有自整流效應(yīng)的非易失電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易集成，成本低，與傳統(tǒng)的硅平面CMOS工藝兼容等優(yōu)點(diǎn)，有利于本發(fā)明的廣泛推廣和應(yīng)用。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出