| 專利名稱: | 一種對(duì)上電極進(jìn)行費(fèi)米能級(jí)修飾的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910077528.8 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-01-21 |
| 專利號(hào): | CN101783394A |
| 第一發(fā)明人: | 劉舸 劉明 劉興華 商立偉 王宏 柳江 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種對(duì)上電極進(jìn)行費(fèi)米能級(jí)修飾的方法，該方法包括：步驟1、在導(dǎo)電硅基底上熱氧化生長(zhǎng)絕緣介質(zhì)薄膜；步驟2、在絕緣介質(zhì)薄膜表面上真空蒸鍍一層有機(jī)半導(dǎo)體材料；步驟3、在有機(jī)半導(dǎo)體材料上通過漏版用電子束蒸發(fā)蒸鍍一層金屬鎳，并讓金屬鎳在空氣中自然氧化成氧化鎳；步驟4、繼續(xù)通過漏版用電子束蒸發(fā)蒸鍍金屬電極，完成器件的制作。利用本發(fā)明，不僅能有效減小金電極對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體層的滲透和反應(yīng)，同時(shí)，自然氧化的氧化鎳層作為一種高功函數(shù)的過渡層，減小了金電極與有機(jī)半導(dǎo)體層之間肖特基勢(shì)壘，從而改善了電極與有源層的接觸。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出