| 專利名稱: | 用于氣體檢測(cè)的亞微米尺寸聲表面波延遲線的制作方法 |
| 專利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910077517.X |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-01-21 |
| 專利號(hào): | CN101783658A |
| 第一發(fā)明人: | 李晶晶 趙以貴 朱效立 李東梅 賈銳 謝常青 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于氣體檢測(cè)的亞微米尺寸聲表面波延遲線的制作方法，該方法利用電子束直寫(xiě)光刻技術(shù)制備出具有亞微米尺寸聲表面波延遲線圖形作為X射線曝光掩模板，然后在壓電基片上采用X射線曝光得到凹立的延遲線圖形，通過(guò)電子束蒸發(fā)、剝離形成亞微米尺寸聲表面波延遲線。利用本發(fā)明，極大地減小電極材料的背散射效應(yīng)，避免了無(wú)法在不導(dǎo)電的襯底上電子束光刻得到高分辨率圖形的問(wèn)題，從而進(jìn)一步提高聲表面波氣體檢測(cè)器的性能。另外，利用這個(gè)母版可以反復(fù)多次進(jìn)行X射線曝光，提高了制作效率，極大減小了制作成本。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出