| 專利名稱: | 一種溝道式電容器的制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910077670.2 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-02-11 |
| 專利號(hào): | CN101800165A |
| 第一發(fā)明人: | 呂垚 李寶霞 萬(wàn)里兮 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種溝道式電容器的制作方法，包括：提供以Si為基底的高摻雜低阻半導(dǎo)體襯底，在襯底上生長(zhǎng)一層SiO2作為掩模層、物理保護(hù)層以及電學(xué)絕緣層；采用光刻膠掩模并按照所需要的電容量刻蝕SiO2至Si層，開出不同面積的電容窗口；在該窗口內(nèi)利用光刻膠作為掩模，通過(guò)刻蝕制備出具有溝道的基底以及P型層電極區(qū)；直接利用保留在Si襯底上的SiO2作為掩模，在硅襯底溝道表面形成一層高摻雜的n+層，在其結(jié)深處形成PN結(jié)結(jié)電容；利用蒸發(fā)或?yàn)R射等手段在電容表面大面積蒸鍍金屬；用光刻膠作為掩模，使用濕法腐蝕，在開出的窗口層、N型電極及P型層電極區(qū)域形成金屬電極；將制備好的溝道電容在高溫下退火，使其P、N兩個(gè)電極上均形成良好的歐姆接觸。本發(fā)明克服了介質(zhì)層難于生長(zhǎng)，費(fèi)用昂貴等問(wèn)題，減少了加工步驟，降低了成本。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出