| 專利名稱: | 一種在鍺襯底上制備金屬-氧化物-半導(dǎo)體電容的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910077625.7 |
| 申請日期: | 2009-02-09 |
| 專利號: | CN101800167A |
| 第一發(fā)明人: | 胡愛斌 徐秋霞 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種在鍺襯底上制備MOS電容的方法，包括：清洗鍺片；在清洗后的鍺片上采用射頻磁控反應(yīng)濺射的方法在氬氣和氮?dú)獾姆諊幸来蔚矸e氮化硅薄膜和氮化鉿薄??；然后在氮?dú)獾姆諊锌焖贌嵬嘶穑唤又ㄟ^涂膠、曝光和顯影形成光刻膠的圖形；然后采用射頻磁控反應(yīng)濺射的方法淀積金屬電極材料；對金屬電極材料進(jìn)行剝離以形成電極圖形；在鍺襯底的背面濺射一層金屬鋁以降低背面的接觸電阻；最后在氮?dú)獾姆諊性跔t管中退火金屬化。本發(fā)明將氮化硅薄膜作為擴(kuò)散阻擋層，解決了在柵介質(zhì)淀積后的退火和金屬電極形成后的退火過程中生成含有大量缺陷態(tài)的鍺的氧化物的問題，降低了界面處的固定電荷和電荷俘獲中心，獲得電學(xué)性能優(yōu)異的MOS電容。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出