| 專利名稱: | 一種制作復(fù)合俘獲層的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910077676.X |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-02-11 |
| 專利號(hào): | CN101800169A |
| 第一發(fā)明人: | 劉明 楊仕謙 王琴 龍世兵 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種制作兼有氮化硅電荷俘獲層及納米晶電荷存儲(chǔ)層的復(fù)合俘獲層的方法，適用于制作復(fù)合電荷俘獲機(jī)制的浮柵式存儲(chǔ)器，該方法包括：A、采用反應(yīng)濺射的方式在隧穿介質(zhì)層上沉積含有氮的金屬硅化物薄膜；B、對(duì)含有氮的金屬硅化物薄膜進(jìn)行快速熱退火處理，形成兼有氮化硅電荷俘獲層及納米晶電荷存儲(chǔ)層的復(fù)合俘獲層。本發(fā)明具有方法簡易，工藝與傳統(tǒng)CMOS硅平面工藝兼容等優(yōu)點(diǎn)，利于推廣應(yīng)用。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出