| 專利名稱: | 一種鎳-自對(duì)準(zhǔn)硅化物的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910077621.9 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-02-09 |
| 專利號(hào): | CN101800171A |
| 第一發(fā)明人: | 尚海平 徐秋霞 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種鎳-自對(duì)準(zhǔn)硅化物的制備方法，該方法包括：步驟1：采用氮化鈦/鎳/硅固相反應(yīng)結(jié)構(gòu)，通過(guò)鎳與硅的固相反應(yīng)生長(zhǎng)硅化鎳薄膜；步驟2：采用氫氟酸/異丙醇溶液對(duì)硅片進(jìn)行清洗；步驟3：濺射氮化鈦/鎳膜前對(duì)真空腔及硅片進(jìn)行退火處理；步驟4：在硅片上濺射氮化鈦/鎳復(fù)合金屬膜；步驟5：采用鎳-自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝形成鎳化硅。本發(fā)明提供的這種鎳-自對(duì)準(zhǔn)硅化物的制備方法，可利用現(xiàn)有的設(shè)備，具有工藝簡(jiǎn)單、易行、成本低和沒(méi)有環(huán)境污染的優(yōu)點(diǎn)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出