| 專利名稱: | 一種鉭鋁氮金屬柵的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910077626.1 |
| 申請日期: | 2009-02-09 |
| 專利號: | CN101800173A |
| 第一發(fā)明人: | 許高博 徐秋霞 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權日期: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種鉭鋁氮金屬柵的制備方法，該方法包括：清洗硅片；對清洗后的硅片進行淀積前氧化；在氧化后的硅片上淀積高介電常數(shù)柵介質；在高介電常數(shù)柵介質上淀積氮化鋁/氮化鉭疊層金屬柵；對淀積了氮化鋁/氮化鉭疊層金屬柵的硅片進行超聲清洗；對清洗后的硅片進行金屬柵淀積后退火，形成鉭鋁氮金屬柵；背面濺鋁并進行合金處理。利用本發(fā)明制備的鉭鋁氮金屬柵，由于鋁的引入有助于金屬柵平帶電壓向正向漂移，即有助于P型金屬氧化物半導體場效應晶體管金屬柵功函數(shù)的調節(jié)。 |
| 其它備注: | |
科研產出