| 專利名稱: | 一種調節(jié)金屬和硅形成的肖特基二極管勢壘的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910077622.3 |
| 申請日期: | 2009-02-09 |
| 專利號: | CN101800177A |
| 第一發(fā)明人: | 胡愛斌 徐秋霞 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種調節(jié)金屬和硅形成的肖特基二極管勢壘的方法，該方法包括：清洗硅片；對清洗后的硅片進行氧化和刻蝕，形成有源區(qū)；在有源區(qū)內形成超薄二氧化硅膜；對形成超薄二氧化硅膜的硅片進行鈍化處理，使硅片表面的硅原子和硫原子形成化學鍵；對鈍化后的硅片進行金屬電極材料淀積，形成金屬電極。利用本發(fā)明，解決了金屬和硅形成的肖特基二極管勢壘主要受半導體硅表面態(tài)影響的問題。 |
| 其它備注: | |
科研產出