| 專利名稱: | 一種鉿硅鋁氧氮高介電常數(shù)柵介質(zhì)的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910077623.8 |
| 申請日期: | 2009-02-09 |
| 專利號: | CN101800178A |
| 第一發(fā)明人: | 許高博 徐秋霞 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種鉿硅鋁氧氮高介電常數(shù)柵介質(zhì)的制備方法，該方法是在鉿硅鋁氧氮高介電常數(shù)柵介質(zhì)的上下表面處淀積氮化鋁薄膜，再經(jīng)高溫退火形成鉿硅鋁氧氮高介電常數(shù)柵介質(zhì)，該方法包括：清洗硅片；對清洗后的硅片進(jìn)行淀積前氧化；在氧化后的硅片上淀積鉿硅鋁氧氮高介電常數(shù)柵介質(zhì)；對淀積了鉿硅鋁氧氮高介電常數(shù)柵介質(zhì)的硅片進(jìn)行超聲清洗；對清洗后的硅片進(jìn)行淀積后退火；在退火后的硅片上形成金屬柵；對形成金屬柵的硅片進(jìn)行淀積后退火；背面濺鋁并進(jìn)行合金處理。利用本發(fā)明解決了隨著小尺寸器件柵介質(zhì)厚度的減薄而帶來柵介質(zhì)漏電急劇上升和功耗嚴(yán)重增大的問題，同時，由于鋁元素的引入有利于P型金屬氧化物半導(dǎo)體器件金屬柵功函數(shù)的調(diào)整。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出