| 專利名稱: | 一種雙金屬柵功函數(shù)的調(diào)節(jié)方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910077620.4 |
| 申請日期: | 2009-02-09 |
| 專利號: | CN101800196A |
| 第一發(fā)明人: | 徐秋霞 許高博 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種雙金屬柵功函數(shù)的調(diào)節(jié)方法，主要步驟為：(1)用快速熱氧化生長超薄界面氧化層或氮氧化層；(2)利用磁控反應(yīng)濺射在超薄界面氧化層上交替濺射淀積高介電常數(shù)(K)柵介質(zhì)，(3)淀積高K柵介質(zhì)后，快速熱退火；(4)采用磁控反應(yīng)濺射淀積金屬氮化物柵；(5)金屬離子注入對金屬氮化物柵進(jìn)行摻雜；(6)刻蝕形成金屬柵電極后，進(jìn)行快速熱退火將金屬離子驅(qū)動到金屬柵與高K柵介質(zhì)的界面上。此方法簡單易行，具有好的熱穩(wěn)定性和調(diào)節(jié)金屬柵功函數(shù)的能力，而且與CMOS工藝完全兼容，便于集成電路產(chǎn)業(yè)化。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出