| 專利名稱: | 一種調節(jié)金屬柵的柵功函數的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910077624.2 |
| 申請日期: | 2009-02-09 |
| 專利號: | CN101800197A |
| 第一發(fā)明人: | 周華杰 徐秋霞 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種調節(jié)金屬柵的柵功函數的方法，該方法包括：局部氧化隔離或淺槽隔離，進行注入前氧化，然后注入14N+；漂凈注入前氧化膜，柵氧化，并沉積多晶硅；光刻、刻蝕形成多晶硅柵電極；注入雜質，雜質激活；淀積金屬鎳，退火硅化，使金屬鎳和多晶硅完全反應形成全硅化物金屬柵；選擇去除未反應的金屬鎳。本發(fā)明提供的方法，易于集成，實現了與CMOS工藝的良好兼容。 |
| 其它備注: | |
科研產出