| 專利名稱: | 用納米晶材料作為庫侖島的納米電子器件及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910077678.9 |
| 申請日期: | 2009-02-11 |
| 專利號: | CN101800242A |
| 第一發(fā)明人: | 龍世兵 劉明 李維龍 賈銳 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種用納米晶材料作為庫侖島的納米電子器件及其制作方法。在襯底上制作一對納米電極，在一對納米電極之間生長納米晶材料，納米電極作為器件的源和漏，納米晶作為庫侖島，庫侖島上生長的絕緣介質(zhì)作為柵介質(zhì)，絕緣介質(zhì)上的電極作為柵電極。該納米電子器件及其制作方法具有簡單、穩(wěn)定可靠、工藝步驟少、與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容的優(yōu)點。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出