| 專利名稱: | 對有機場效應(yīng)晶體管中有源層進行原位保護的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910077672.1 |
| 申請日期: | 2009-02-11 |
| 專利號: | CN101800283A |
| 第一發(fā)明人: | 劉舸 劉明 劉興華 商立偉 王宏 柳江 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種對有機場效應(yīng)晶體管中有源層進行原位保護的方法，該方法包括：步驟1、在導(dǎo)電硅基底上熱氧化生長絕緣介質(zhì)薄膜；步驟2、在絕緣介質(zhì)薄膜表面上真空蒸鍍一層有機半導(dǎo)體材料；步驟3、接著繼續(xù)蒸鍍一層用作有源層保護層的小分子有機半導(dǎo)體材料；步驟4、通過漏版再蒸鍍一層金屬電極，完成器件的制作。本發(fā)明提供的這種對有機場效應(yīng)晶體管中有源層進行原位保護的方法，對器件有源層在真空環(huán)境下形成保護層，減少了其暴露在空氣中的機會。用于形成保護層的有機小分子材料也是同種類型的半導(dǎo)體材料，這樣保證了器件的性能不受到大的影響。另外本發(fā)明的整個工藝過程實現(xiàn)起來也相當簡單，沒有額外的步驟和設(shè)備需求。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出