專利名稱: | 雙層上電極有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法 |
專利類別: | |
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910077673.6 |
申請(qǐng)日期: | 2009-02-11 |
專利號(hào): | CN101800284A |
第一發(fā)明人: | 劉舸 劉明 劉興華 商立偉 王宏 柳江 |
其它發(fā)明人: | |
國外申請(qǐng)日期: | |
國外申請(qǐng)方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費(fèi)情況: | |
實(shí)施情況: | |
專利證書號(hào): | |
專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種雙層上電極有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法,該方法包括:步驟1、在導(dǎo)電硅基底上熱氧化生長絕緣介質(zhì)薄膜;步驟2、在絕緣介質(zhì)薄膜表面上真空蒸鍍一層有機(jī)半導(dǎo)體材料;步驟3、通過漏版用電子束蒸發(fā)蒸鍍一層金屬電極;步驟4、再真空蒸鍍一層有機(jī)半導(dǎo)體材料;步驟5、通過漏版用電子束蒸發(fā)蒸鍍第二層金屬電極,完成器件的制作。本發(fā)明提供的雙層上電極有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法,采用漏版蒸鍍工藝,保證了生長的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的性能。而且,采用雙層上電極結(jié)構(gòu),有效的減小了電極與溝道之間的距離,同時(shí)又保證了有源層的厚度。兩層金屬電極之間依靠金屬粒子滲透進(jìn)有機(jī)半導(dǎo)體材料而互連,從而不需要額外的互連工藝。 |
其它備注: | |
科研產(chǎn)出