| 專利名稱: | 采用體有源層材料作為前驅(qū)體誘導(dǎo)有源層有序生長(zhǎng)的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910077674.0 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-02-11 |
| 專利號(hào): | CN101800285A |
| 第一發(fā)明人: | 劉舸 劉明 劉興華 商立偉 王宏 柳江 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種采用體有源層材料作為前驅(qū)體誘導(dǎo)有源層有序生長(zhǎng)的方法，該方法包括：在導(dǎo)電硅基底上熱氧化生長(zhǎng)絕緣介質(zhì)薄膜；在絕緣介質(zhì)薄膜表面上旋涂抗蝕劑，光刻得到平行排列的線條圖形；真空蒸鍍一層有機(jī)半導(dǎo)體薄膜；用丙酮?jiǎng)冸x掉光刻膠形成平行排列的有機(jī)誘導(dǎo)線條；沉積生長(zhǎng)有機(jī)半導(dǎo)體薄膜；通過鏤空的掩模版沉積源漏電極，完成有源層有機(jī)半導(dǎo)體材料有序取向的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備。本發(fā)明特點(diǎn)是使用與器件有源層材料相同的有機(jī)材料來誘導(dǎo)溝道內(nèi)有源層的有序生長(zhǎng)，由于形貌上的相同，誘導(dǎo)線條不僅能有效的干預(yù)材料的生長(zhǎng)，而且還可以保證在兩種材料之間具有良好的接觸，提高了工藝可控性，簡(jiǎn)化了工藝，降低了成本。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出