| 專利名稱: | 基于頂柵結(jié)構(gòu)有機(jī)場效應(yīng)晶體管集成電路的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910077677.4 |
| 申請日期: | 2009-02-11 |
| 專利號: | CN101800286A |
| 第一發(fā)明人: | 姬濯宇 王宏 劉明 商立偉 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種基于頂柵結(jié)構(gòu)有機(jī)場效應(yīng)晶體管集成電路的制備方法，是通過三次光刻、三次金屬沉積、一次有機(jī)半導(dǎo)體薄膜生長、一次絕緣介質(zhì)層生長和一次絕緣介質(zhì)層刻蝕，獲得有機(jī)集成電路，該方法包括：在絕緣襯底上旋涂光刻膠保護(hù)層，光刻得到有機(jī)場效應(yīng)晶體管的源漏電極圖形，沉積金屬電極；沉積生長有機(jī)半導(dǎo)體材料；沉積生長有機(jī)絕緣介質(zhì)層；在有機(jī)絕緣層上旋涂光刻膠保護(hù)層，光刻得到用于互連的過孔的圖形，以光刻膠為掩?？涛g絕緣介質(zhì)層形成過孔，沉積金屬填充過孔；在有機(jī)絕緣層上旋涂光刻膠保護(hù)層，光刻得到電路互連線及有機(jī)場效應(yīng)晶體管的柵電極圖形，沉積金屬互連線及柵電極。本發(fā)明提供的方法工藝簡單、重復(fù)性好、穩(wěn)定性高。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出