| 專利名稱: | 浮柵型非易失性存儲(chǔ)器中復(fù)合俘獲層的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910077725.X |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-02-13 |
| 專利號(hào): | CN101807521A |
| 第一發(fā)明人: | 劉明 劉璟 王琴 龍世兵 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種制備浮柵型非易失性存儲(chǔ)器中復(fù)合俘獲層的方法，該方法包括：采用濺射工藝將多種靶材共濺射在隧穿介質(zhì)層上，淀積生長(zhǎng)俘獲層介質(zhì)；在濺射過程中將其他靶材掩蔽，單獨(dú)濺射某一種靶材，在俘獲層中形成納米晶材料過剩的內(nèi)嵌納米晶薄層；形成內(nèi)嵌納米晶薄層后，恢復(fù)原工藝條件繼續(xù)生長(zhǎng)俘獲層材料；生長(zhǎng)完畢，熱處理形成納米晶與俘獲層堆疊的復(fù)合俘獲層結(jié)構(gòu)。利用本發(fā)明，器件的加工工藝與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容，極大的簡(jiǎn)化工藝制程，降低制作成本，為器件走向?qū)嶋H應(yīng)用打下基礎(chǔ)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出