| 專利名稱: | 一種調(diào)節(jié)金屬硅化物源/漏肖特基勢(shì)壘高度的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910077723.0 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-02-13 |
| 專利號(hào): | CN101807526A |
| 第一發(fā)明人: | 尚海平 徐秋霞 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種調(diào)節(jié)金屬硅化物源/漏肖特基勢(shì)壘高度的方法，該方法包括：步驟1：采用兩步鎳-自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝形成一硅化鎳膜；步驟2：對(duì)該硅化鎳膜進(jìn)行低能高劑量雜質(zhì)注入；步驟3：對(duì)該硅化鎳膜進(jìn)行快速熱退火。本發(fā)明提供的肖特基勢(shì)壘高度的調(diào)節(jié)方法，可利用現(xiàn)有的設(shè)備，具有工藝簡(jiǎn)單、易行和成本低等優(yōu)點(diǎn)，易于集成，實(shí)現(xiàn)了與CMOS工藝的良好兼容。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出