| 專利名稱: | 納米晶浮柵非易失存儲器及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910077724.5 |
| 申請日期: | 2009-02-13 |
| 專利號: | CN101807576A |
| 第一發(fā)明人: | 劉明 劉璟 王琴 胡媛 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種具有多值存儲功能的納米晶浮柵非易失存儲器及其制作方法。該包存儲器括：硅襯底；在硅襯底上重摻雜的源導(dǎo)電區(qū)和漏導(dǎo)電區(qū)；在源漏導(dǎo)電區(qū)之間載流子溝道上覆蓋的、由SiO2材料介質(zhì)和高k材料介質(zhì)自下而上構(gòu)成的復(fù)合隧穿層；在復(fù)合隧穿層上覆蓋的第一納米晶浮柵層；在第一納米晶浮柵層覆蓋的用作雙層納米晶間阻擋層的阻擋層介質(zhì)；在阻擋層介質(zhì)上覆蓋的第二納米晶浮柵層；在第二納米晶浮柵層上覆蓋的由高k材料或SiO2材料構(gòu)成的控制柵介質(zhì)層；以及在控制柵介質(zhì)層上覆蓋的柵材料層。本發(fā)明提高了浮柵非易失存儲器的集成密度，綜合改善了其存儲性能：提高了編程/擦除速度和耐受性、數(shù)據(jù)保持特性，降低了編程/擦除電壓和操作功耗。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出