| 專利名稱: | 一種對肖特基勢壘高度進行鏡像力補償修正的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910078557.6 |
| 申請日期: | 2009-02-25 |
| 專利號: | CN101814100A |
| 第一發(fā)明人: | 王鑫華 趙妙 劉新宇 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種對采用J-V標(biāo)準(zhǔn)法提取的肖特基勢壘高度進行鏡像力補償修正的方法，包括：結(jié)合GaN高電子遷移率晶體管器件結(jié)構(gòu)，推導(dǎo)無界面層或者界面層在20埃以內(nèi)的可視為理想肖特基勢壘高度因鏡像力而導(dǎo)致的降低量構(gòu)造關(guān)于熱平衡態(tài)肖特基勢壘高度的一元高次函數(shù)，并根據(jù)正向電壓下鏡像力影響勢壘高度的規(guī)律，確定等效勢壘降低量來近似代替某一電壓范圍對勢壘降低的累計影響；用MATLAB編程求解一元高次函數(shù)的零點，零點中滿足大于標(biāo)準(zhǔn)J-V測量獲得的勢壘高度值的最近值即為修正的肖特基勢壘高度值。本發(fā)明補償了由于鏡像力導(dǎo)致的勢壘高度的降低，合理的獲得熱平衡態(tài)勢壘高度，從全新的角度對勢壘高度進行修正。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出