| 專利名稱: | 一種制備浮柵型非易失性存儲(chǔ)器中復(fù)合俘獲層的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910077369.1 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-02-19 |
| 專利號(hào): | CN101814430A |
| 第一發(fā)明人: | 劉明 劉璟 王琴 龍世兵 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種制備浮柵型非易失性存儲(chǔ)器中復(fù)合俘獲層的方法，該方法包括：選擇至少兩種前軀體在隧穿介質(zhì)層上采用化學(xué)氣相淀積方法生長(zhǎng)俘獲層；在生長(zhǎng)俘獲層的過(guò)程中，關(guān)閉其中一種或幾種前軀體，僅保留含有納米晶材料組分的前軀體進(jìn)行淀積，以形成納米晶材料過(guò)剩的內(nèi)嵌薄層；形成內(nèi)嵌薄層后，恢復(fù)原工藝條件，打開(kāi)所有前軀體繼續(xù)生長(zhǎng)俘獲層；生長(zhǎng)完畢，快速熱處理形成納米晶與俘獲層堆疊的復(fù)合俘獲層結(jié)構(gòu)。利用本發(fā)明，器件的加工工藝與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容，極大的簡(jiǎn)化工藝制程，降低制作成本，為器件的走向?qū)嶋H應(yīng)用打下基礎(chǔ)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出