| 專利名稱: | 一種復(fù)合存儲(chǔ)介質(zhì)浮柵存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910078558.0 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-02-25 |
| 專利號(hào): | CN101814506A |
| 第一發(fā)明人: | 劉明 王永 王琴 楊瀟楠 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種復(fù)合存儲(chǔ)介質(zhì)浮柵存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其制作方法。復(fù)合存儲(chǔ)介質(zhì)浮柵存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)由下至上依次包括硅襯底、隧穿介質(zhì)層、氮化硅、硅納米晶、高溫氧化物、多晶硅層和在硅襯底上刻蝕形成的柵和源/漏區(qū)，以及在二氧化硅層上刻蝕形成的側(cè)墻。利用本發(fā)明，解決了傳統(tǒng)Flash技術(shù)節(jié)點(diǎn)可縮小化問題存在的不足，采用兩種存儲(chǔ)介質(zhì)儲(chǔ)存電荷，增大了存儲(chǔ)窗口，使浮柵存儲(chǔ)電荷的可靠性增加，提高了浮柵器件的保持特性。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出