| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 利用半導(dǎo)體PN結(jié)結(jié)電容構(gòu)成的電容器及其制作方法 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910077360.0 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-02-19 |
| 專(zhuān)利號(hào): | CN101814531A |
| 第一發(fā)明人: | 萬(wàn)里兮 呂垚 李寶霞 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種利用半導(dǎo)體PN結(jié)結(jié)電容構(gòu)成的電容器及其制作方法。該電容器以一塊半導(dǎo)體作為基材，其電容是半導(dǎo)體PN結(jié)的結(jié)電容，具體包括：在一塊高摻雜低阻的P型或N型半導(dǎo)體基材上采用擴(kuò)散法或離子注入法在特定區(qū)域內(nèi)形成的PN結(jié)；在形成PN結(jié)的半導(dǎo)體的N型區(qū)域和P型區(qū)域上采用熱蒸發(fā)法、電子束蒸發(fā)法或?yàn)R射法制作的一金屬膜層；在該金屬膜層上采用電鍍方法或絲網(wǎng)印刷方法制作的電極凸點(diǎn)；根據(jù)實(shí)際需要，引出電極可以在半導(dǎo)體基材的兩面，或者只在刻蝕區(qū)面。本發(fā)明制作的電容器，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，電容密度大，寄生參數(shù)小，制作工藝過(guò)程簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，該電容還具有對(duì)靜電和電涌的防護(hù)功能，可廣泛用于高頻高速高功率電子系統(tǒng)中。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出