| 專(zhuān)利名稱(chēng): | X射線光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200310120546.2 |
| 申請(qǐng)日期: | 2003-12-12 |
| 專(zhuān)利號(hào): | CN1627190 |
| 第一發(fā)明人: | 王德強(qiáng) 謝常青 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | 本發(fā)明涉及X射線光刻對(duì)準(zhǔn)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種新的應(yīng)用于X射線光刻對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)記。本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，由掩模和硅片上的兩部分標(biāo)記組成，其在掩模上由三個(gè)正方框組成，在硅片上由六根正交線條構(gòu)成，其中，三個(gè)正方框由小到大依次相套，且共一中心點(diǎn)，標(biāo)記做在SiNX薄膜上；六根正交線條，三根為水平方向等距排列，三根為垂直方向等距排列，標(biāo)記做在硅片襯底上。本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，對(duì)于掩模和硅片的形變都有一定的冗余度，其均值作用能夠使對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)更加準(zhǔn)確地獲得掩模和硅片標(biāo)記的位置信息，提高光刻對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的對(duì)準(zhǔn)精度。這種標(biāo)記可以廣泛應(yīng)用在亞微米與深亞微米工藝當(dāng)中，例如pHEMT，MMIC等器件和電路的制作。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出