| 專利名稱: | 新結(jié)構(gòu)肖特基毫米波混頻二極管 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200310122345.6 |
| 申請(qǐng)日期: | 2003-12-16 |
| 專利號(hào): | CN1630101 |
| 第一發(fā)明人: | 張海英 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明一種新結(jié)構(gòu)肖特基毫米波混頻二極管，其芯片的外延結(jié)構(gòu)為：在砷化鎵襯底上生長(zhǎng)一層重?fù)诫s砷化鎵第一外延層，在第一外延層的上面生長(zhǎng)一層輕摻雜砷化鎵第二外延層。本發(fā)明優(yōu)化設(shè)計(jì)了外延層結(jié)構(gòu)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出