| 專利名稱: | 用于提高硅集成電感品質(zhì)因數(shù)的局部介質(zhì)增厚方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200410035089.1 |
| 申請日期: | 2004-04-23 |
| 專利號: | CN1691279 |
| 第一發(fā)明人: | 李俊峰 楊 榮 李力南 扈煥章 蔣浩杰 白國斌 錢 鶴 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種用于提高硅集成電感品質(zhì)因數(shù)的局部介質(zhì)增厚方法，其特征在 于，包括如下步驟：步驟1：淀積二氧化硅/氮化硅/二氧化硅三層復(fù)合介 質(zhì)；步驟2：光刻膠保護螺旋電感區(qū)域，暴露螺旋電感平面以外的區(qū)域； 步驟3：濕法腐蝕頂層二氧化硅，干法刻蝕氮化硅及底層二氧化硅；步 驟4：去膠清洗。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出