| 專利名稱: | 用于射頻橫向擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管的自對準(zhǔn)硅化物方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200410035088.7 |
| 申請日期: | 2004-04-23 |
| 專利號: | CN1691295 |
| 第一發(fā)明人: | 楊 榮 李俊峰 海潮和 徐秋霞 韓鄭生 柴淑敏 趙玉印 周鎖京 錢 鶴 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種用于射頻橫向擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管的自對準(zhǔn)硅化物方法，包括如 下步驟：在硅片上，多晶柵刻蝕成形后進(jìn)行無掩膜的漂移區(qū)注入；用正 硅酸乙酯熱分解法淀積一薄層二氧化硅；以光刻膠保護(hù)漂移區(qū)，回刻二 氧化硅，在柵極靠近源測形成二氧化硅側(cè)墻；源漏自對準(zhǔn)注入并去膠； 快速熱退火，以消除注入損傷和激活雜質(zhì)；分別以正硅酸乙酯熱分解法 淀積一薄層襯墊二氧化硅和低壓化學(xué)氣相淀積法淀積一層氮化硅；依次 回刻氮化硅、二氧化硅，在二氧化硅一次側(cè)墻基礎(chǔ)上形成氮化硅二次側(cè) 墻；濺射一薄層鈦；快速熱退火，讓鈦與硅反應(yīng)形成鈦硅化物；選擇性 濕法腐蝕去除未反應(yīng)的鈦；快速熱退火，讓高阻態(tài)的鈦硅化物轉(zhuǎn)化為低 阻態(tài)的鈦硅化物。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出