| 專利名稱: | 一種納米線寬多晶硅柵刻蝕掩膜圖形的形成方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200410047532.7 |
| 申請日期: | 2004-05-21 |
| 專利號: | CN1700421 |
| 第一發(fā)明人: | 徐秋霞 錢 鶴 劉 明 趙玉印 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種納米線寬多晶硅柵刻蝕掩膜圖形的形成方法，其主要步驟如下： (1)在超薄柵介質(zhì)上淀積多晶硅，然后淀積TEOS SiO2薄膜；(2)光刻柵圖 形；(3)膠的灰化；(4)氟化和烘烤；(5)反應(yīng)離子腐蝕TEOS SiO2；(6)去膠 清洗；(7)濕法化學(xué)腐蝕TEOS SiO2，達到需要線寬止。本發(fā)明可制備15- 50納米線寬的多晶硅柵刻蝕掩膜圖形。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出