| 專利名稱: | 15-50納米線寬多晶硅柵的刻蝕方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200410047533.1 |
| 申請(qǐng)日期: | 2004-05-21 |
| 專利號(hào): | CN1700426 |
| 第一發(fā)明人: | 徐秋霞 錢 鶴 趙玉印 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 一種納米線寬多晶硅柵的刻蝕方法，主要步驟為：(1)采用電子束光刻 或光學(xué)光刻結(jié)合膠的灰化處理工藝和硬掩膜修整技術(shù)，獲得15-50納米線 寬的硬SiO2掩膜圖形；(2)以SiO2作硬掩膜，利用CF4、Cl2、HBr、O2等 氣體，采用4步反應(yīng)離子刻蝕工藝，可以獲得陡直的多晶硅柵刻蝕剖面。 多晶硅柵對(duì)其下的SiO2柵介質(zhì)的刻蝕選擇比遠(yuǎn)大于500∶1，對(duì)物理厚度為 1.3納米的SiO2柵介質(zhì)無損傷。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出