| 專利名稱: | 絕緣體硅射頻集成電路的集成結構及制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200410045979.0 |
| 申請日期: | 2004-05-27 |
| 專利號: | CN1705132 |
| 第一發(fā)明人: | 楊 榮 李俊峰 徐秋霞 海潮和 韓鄭生 周小茵 趙立新 牛潔斌 錢 鶴 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種用于絕緣體硅射頻集成電路的集成結構，其中包括：一絕緣體 硅襯底，包括單晶硅層、隔離氧化層和硅薄層；場氧化層采用局域場氧 化隔離技術形成在硅薄層里與隔離氧化層相連，以阻斷器件漏電；柵氧 化層是在硅薄層表面氧化形成；多晶硅層是在柵氧化層上淀積形成的； 氮化硅層形成在多晶硅層的周圍；二硅化鈦薄層以點狀分布在硅薄層上； 第一層鋁薄膜形成在二硅化鈦薄層上；一二氧化硅層形成在場氧化層、 多晶硅層、氮化硅層、二硅化鈦薄層和第一層鋁薄膜上；部分第一層鋁 薄膜鑲嵌在二氧化硅層中；第二層鋁薄膜與第一層鋁薄膜局部相連，并 形成于二氧化硅層上。 |
| 其它備注: | |
科研產出