| 專利名稱: | 適用于氮化鎵器件的鋁/鈦/鋁/鈦/金歐姆接觸系統(tǒng) |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200410058037.6 |
| 申請(qǐng)日期: | 2004-08-09 |
| 專利號(hào): | CN1734732 |
| 第一發(fā)明人: | 魏 珂 和致經(jīng) 劉新宇 劉 健 吳德馨 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及AlGaN/GaN HEMT器件的歐姆接觸技術(shù)領(lǐng)域，特別是 一種適用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型歐姆接觸Al/Ti/Al/Ti/Au的合 金系統(tǒng)。歐姆接觸金屬蒸發(fā)時(shí)采用五層結(jié)構(gòu)的AlTiAlTiAu結(jié)構(gòu)。與AlGaN 接觸的金屬第一金屬層為Al，然后順次為次為Al/Ti/Al/Ti/Au。合金溫 度的范圍為660℃-760℃，合金時(shí)間在20-60S的范圍內(nèi)。該技術(shù)的合 金溫度、合金時(shí)間有較大的選擇范圍，降低了工藝難度，擴(kuò)大了工藝 寬容度，提高了工藝的重復(fù)性。獲得比較理想的合金形貌。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出