| 專利名稱: | 一種提高PMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管空穴遷移率的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200410074677.6 |
| 申請(qǐng)日期: | 2004-09-13 |
| 專利號(hào): | CN1750242 |
| 第一發(fā)明人: | 徐秋霞 錢 鶴 謝 玲 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 一種提高PMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管空穴遷移率的方法，通過(guò)工藝誘生應(yīng) 力工程在溝道區(qū)引入希望的應(yīng)力來(lái)提高溝道中空穴遷移率。該方法的核 心就是在PMOS延伸區(qū)低能BF2(或B)注入前，首先對(duì)Si延伸區(qū)進(jìn)行Ge 預(yù)非晶化注入，然后再低能注入BF2或B。這一方法不僅僅提高了B的 激活效率，使PMOS延伸區(qū)薄層電阻大大降低，更重要的是它使空穴遷 移率大幅度提高，其本質(zhì)是溝道區(qū)在應(yīng)力作用下能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生變化所致。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出