| 專利名稱: | 一種適用于納米器件制造的硅化物工藝 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200410080409.5 |
| 申請日期: | 2004-09-29 |
| 專利號: | CN1754860 |
| 第一發(fā)明人: | 徐秋霞 王大海 柴淑敏 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利摘要: | 一種適用于納米器件制造的硅化物工藝，其主要步驟是清洗、真空退 火處理、濺射Ni薄膜、濺射TiN薄膜、快速熱退火、選擇腐蝕、玻璃淀 積、接觸孔形成和金屬化。本發(fā)明在Ni膜上加一蓋帽層氮化鈦，形成 TiN/Ni/Si結(jié)構(gòu)，同時改進清洗方法，優(yōu)化薄膜厚度和硅化反應(yīng)的條件， 獲得了很好的結(jié)果。不但薄膜的薄層電阻明顯減小，而且熱穩(wěn)定性有了 明顯的提高，即由低阻NiSi相向高阻NiSi2相轉(zhuǎn)變的溫度提高了，淺結(jié) 漏電流得到改善。與常規(guī)Ti和Co硅化物工藝比較，該方法工藝步驟少， 成本低，器件性能改善顯著，因而極具吸引力。特別在亞50納米技術(shù)中 是常規(guī)Ti和Co硅化物工藝所不可替代的工藝。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出