| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 一種魚(yú)脊形場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和制備方法 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200410088513.9 |
| 申請(qǐng)日期: | 2004-11-03 |
| 專(zhuān)利號(hào): | CN1770453 |
| 第一發(fā)明人: | 殷華湘 徐秋霞 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | 一種魚(yú)脊形場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和制備方法，步驟為：在原始硅片 上形成低摻雜的P阱與N阱；近似全平面的凹陷局部場(chǎng)氧化隔離，形成 有源區(qū)；淀積氧化層/氮化硅/氧化層多層絕緣層用于柵電極與襯底的隔 離；在多層絕緣介質(zhì)層上光刻、干法刻蝕出凹槽結(jié)構(gòu)；在與凹槽的垂直 的方向上光刻硅島圖形，然后干法刻蝕掉凹槽中剩余的絕緣介質(zhì)，再干 法刻蝕硅襯底形成硅島；淀積氧化硅和氮化硅，再各向異性刻蝕形成氮 化硅側(cè)墻；三維薄柵氧化并淀積柵電極材料；光刻和刻蝕源漏區(qū)上的多 晶硅和介質(zhì)至硅襯底表面；源漏注入摻雜并快速熱退火激活；淀積和刻 蝕形成二氧化硅源漏側(cè)墻；自對(duì)準(zhǔn)硅化物；硼磷硅玻璃覆蓋隔離，光刻 與干法刻蝕接觸孔，并多層金屬化。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出