| 專利名稱: | 銦鎵磷增強/耗盡型應(yīng)變高電子遷移率晶體管材料結(jié)構(gòu) |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200510088979.3 |
| 申請日期: | 2005-08-04 |
| 專利號: | CN1909240 |
| 第一發(fā)明人: | 李海鷗 尹軍艦 張海英 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種銦鎵磷增強/耗盡型應(yīng)變高電子遷移率晶體管材料結(jié)構(gòu)，其采 用銦鎵磷/銦鋁砷/銦鎵砷材料結(jié)構(gòu)，在半絕緣砷化鎵襯底材料上，應(yīng)用 緩變生長技術(shù)生長線性緩變銦鋁鎵砷外延層作為緩沖層，然后在緩沖層 上順序生長：銦鋁砷層、銦鎵砷層、銦鋁砷層、平面摻雜層、銦鋁砷層、 應(yīng)變銦鎵磷層、銦鎵砷層；其中，第九層銦鎵砷外延層作為帽層，第八 層應(yīng)變銦鎵磷層外延層作為耗盡型的勢壘層，第七層銦鋁砷外延層作為 增強型的勢壘層，第五層銦鋁砷外延層作為隔離層，第四層銦鎵砷作為 溝道層。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出