| 專利名稱: | 砷化鎵基增強/耗盡型應(yīng)變高電子遷移率晶體管材料結(jié)構(gòu) |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200510088980.6 |
| 申請日期: | 2005-08-04 |
| 專利號: | CN1909241 |
| 第一發(fā)明人: | 李海鷗 尹軍艦 張海英 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種砷化鎵基增強/耗盡型應(yīng)變高電子遷移率晶體管材料結(jié)構(gòu)，為 單片集成增強/耗盡型，其采用銦鎵砷/銦鋁砷/銦鎵砷材料結(jié)構(gòu)，在半絕 緣砷化鎵襯底材料上，應(yīng)用緩變生長技術(shù)生長線性緩變銦鋁鎵砷外延層 作為緩沖層，然后在緩沖層上順序生長：銦鋁砷層、銦鎵砷層、銦鋁砷 層、平面摻雜層、銦鋁砷層、銦磷層、銦鋁砷層、銦鎵砷層。本發(fā)明設(shè) 計的材料結(jié)構(gòu)測得其溝道二維電子氣濃度為1.57E+12cm-2，電子遷移率 為9790cm2/V.S，制作出了具有良好性能的增強/耗盡型應(yīng)變高電子遷移 率晶體管器件，具有工藝重復(fù)性好、可靠性強的特點，在微波、毫米波 化合物半導(dǎo)體器件制作和直接耦合場效應(yīng)管邏輯電路中具有非常明顯的 實際應(yīng)用價值。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出