| 專利名稱: | 砷化鎵基增強/耗盡型贗配高電子遷移率晶體管柵制作工藝 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200510093369.2 |
| 申請日期: | 2005-08-26 |
| 專利號: | CN1921077 |
| 第一發(fā)明人: | 李海鷗 張海英 尹軍艦 葉甜春 和致經(jīng) |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種砷化鎵基單片集成增強/耗盡型贗配高電子遷移率晶體管 (PHEMT)柵制作工藝，是在一種九層結(jié)構(gòu)的砷化鎵基增強/耗盡型PHEMT 器件材料上制作晶體管柵，其采用分步制作增強/耗盡型柵技術(shù)：第一 步，采用濕法腐蝕得到增強型柵槽，電子束蒸發(fā)金屬Pt/Au形成增強型 肖特基柵；第二步，采用濕法腐蝕得到耗盡型柵槽，電子束蒸發(fā)金屬 Ti/Pt/Au形成耗盡型肖特基柵。本發(fā)明工藝流程簡單、易實現(xiàn)，對增強 型PHEMT的制作成功非常有利，且源電阻小，源漏飽和電流較大、工作 頻率較高。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出