| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 一種超薄氮化硅/二氧化硅疊層?xùn)沤橘|(zhì)的制備方法 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200510086488.5 |
| 申請(qǐng)日期: | 2005-09-22 |
| 專(zhuān)利號(hào): | CN1937184 |
| 第一發(fā)明人: | 林 剛 徐秋霞 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | 一種超薄氮化硅/二氧化硅疊層?xùn)沤橘|(zhì)的制備方法，采用常規(guī)的低成本 低壓化學(xué)汽相沉積(LPCVD)方法來(lái)制備超薄Si3N4膜，得到性能優(yōu)良的等效 氧化層厚度(EOT)為1.9nm的超薄Si3N4/SiO2 stack柵介質(zhì)。并在此基礎(chǔ)上詳 細(xì)研究了Si3N4/SiO2(N/O)stack柵介質(zhì)的特性，成功應(yīng)用于柵長(zhǎng)為0.13μm高 性能N/O stack柵介質(zhì)CMOS器件研制。為深亞微米CMOS器件所必需的高 性能柵介質(zhì)制備提供了一種方便可行的方法。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出