| 專利名稱: | 采用正性電子抗蝕劑制備金屬納米電極的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200510130438.2 |
| 申請日期: | 2005-12-08 |
| 專利號(hào): | CN1979768 |
| 第一發(fā)明人: | 龍世兵 劉 明 陳寶欽 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 一種采用正性電子抗蝕劑制備金屬納米電極的方法。本發(fā)明的主要 特征是利用電子束鄰近效應(yīng)，采用電子束光刻(EBL)在各種襯底上獲 得間距為納米尺度的一對或一組具有線條、孔等各種形狀的正性電子抗 蝕劑凹槽圖形，再輔以金屬淀積和剝離工藝制備各種金屬材料納米電極。 其主要步驟包括：在襯底上涂敷正性電子抗蝕劑；前烘；電子束直寫曝 光；顯影；定影；蒸發(fā)或?yàn)R射金屬；在丙酮中進(jìn)行剝離。采用這種方法 制備的金屬納米電極的間距可達(dá)到30-100nm，可用于制作各種量子點(diǎn) 器件、納米線、納米管器件、單電子器件等多種器件或電路。這種方法 具有工藝步驟少、簡單、穩(wěn)定可靠、用途多、能與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容 的優(yōu)點(diǎn)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出