| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 采用基于硅襯底突點(diǎn)制作及釋放犧牲層的方法 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200510127446.1 |
| 申請(qǐng)日期: | 2005-12-02 |
| 專(zhuān)利號(hào): | CN1979772 |
| 第一發(fā)明人: | 石莎莉 陳大鵬 歐 毅 謝常青 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | 本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種采用基于硅襯底突點(diǎn)制作及 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出