| 專利名稱: | 利用多層側墻技術制備納米壓印模版的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200510126492.X |
| 申請日期: | 2005-12-14 |
| 專利號: | CN1982202 |
| 第一發(fā)明人: | 涂德鈺 王叢舜 劉 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權日期: | |
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| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種利用多層側墻技術制備納米壓印模版的方法，其工藝步驟如 下：1.在透光基片上淀積一層結構薄膜；2.淀積另外一種材料作為第 二層結構薄膜；3.4.采用化學機械 平坦化或研磨等方法拋光基片表面，得到由第一種與第二種結構材料交 替組成的側墻陣列；5.選擇腐蝕或刻蝕兩種結構材料的側墻，形成納米 壓印模版。 |
| 其它備注: | |
科研產出