| 專利名稱: | 一種半導(dǎo)體制冷的二氧化碳超臨界干燥裝置 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200720103994.5 |
| 申請日期: | 2007-03-28 |
| 專利號: | CN201028934 |
| 第一發(fā)明人: | 劉茂哲 景玉鵬 陳大鵬 歐 毅 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利摘要: | 本實用新型公開了一種半導(dǎo)體制冷的二氧化碳超臨界干燥裝置，包 括：超臨界干燥室，用于犧牲層的釋放，由高壓反應(yīng)室和溫度控制室組成； 高壓反應(yīng)室用于盛放硅片支架，提供二氧化碳置換和氣化干燥的反應(yīng)室， 與二氧化碳?xì)馄肯噙B，且高壓反應(yīng)室的外壁上安裝有半導(dǎo)體制冷環(huán)；溫度 控制室通過蒸發(fā)器盤管與高壓反應(yīng)室相連，實現(xiàn)高壓反應(yīng)室的制冷和加 熱；分離減壓室通過管道與高壓反應(yīng)室相連，用于減壓后將醇類和二氧化 碳分離；超臨界干燥室與分離減壓室通過支座臺固定連接。利用本實用新 型，解決了微細(xì)加工中干燥時粘連的問題，降低了液體二氧化碳的消耗量， 達(dá)到了節(jié)約能源的目的，與二氧化碳制冷或氟里昂制冷相比，結(jié)構(gòu)簡單， 無噪音，無污染，制冷速度快。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出