| 專利名稱: | 高壓二氧化碳超臨界旋涂成膜系統(tǒng) |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200820124294.9 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-12-11 |
| 專利號(hào): | CN201342395 |
| 第一發(fā)明人: | 景玉鵬 惠 瑜 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高壓二氧化碳超臨界旋涂成膜系統(tǒng)，屬于微電子機(jī)械設(shè)備 領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括密封的成膜腔，在所述成膜腔內(nèi)設(shè)置有真空吸盤，所述真空吸盤 與旋轉(zhuǎn)馬達(dá)的轉(zhuǎn)子相連接；在所述成膜腔內(nèi)部還設(shè)置有加熱裝置；所述成膜腔通過(guò)管 路分別與外部二氧化碳鋼瓶、反應(yīng)氣體鋼瓶以及成膜液體罐相連通；此外，所述成膜 腔還連接有與外部連通的排氣管。此系統(tǒng)可以制備各種可以旋涂成膜的薄膜以及化學(xué) 反應(yīng)成膜。利用二氧化碳超臨界流體的特殊性質(zhì)，可以實(shí)現(xiàn)薄膜生長(zhǎng)的應(yīng)力可調(diào)。通 過(guò)對(duì)壓力和轉(zhuǎn)速的控制，實(shí)現(xiàn)膜厚可控。該設(shè)備的發(fā)明解決了在MEMS工藝薄膜制備過(guò) 程中殘余應(yīng)力大，薄厚膜制備困難等問(wèn)題，可以大大推動(dòng)MEMS工藝的發(fā)展。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出