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專利名稱: 常壓射頻低溫冷等離子體放電通道裝置
專利類別:
申請?zhí)?/strong>: 200420004986.1
申請日期: 2004-03-18
專利號: CN2682773
第一發(fā)明人: 王守國
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權日期:
繳費情況:
實施情況:
專利證書號:
專利摘要: 本實用新型公開一種常壓射頻低溫冷等離子體放電通道裝置,包括供氣源,放電通道主體和射頻電源,放電通道主體包括倒U形的外殼,其內部頂表面上設置有頂面絕緣體,兩個內部側表面上分別設置有側面絕緣體;設置在頂面絕緣體的下表面上,位于兩個側面絕緣體之間并與射頻電源相連的第一平板電極;及第二平板電極,其與外殼的開口端相連,與第一平板電極相對且平行,第二平板電極與第一電極相互絕緣,第二電極的中部設置有通孔,第一和第二平板電極及兩個側面絕緣體圍成一個四周封閉、兩端開口、橫截面為長方形的長方體狀的放電通道,供氣源通過導管和通孔與放電通道連通。本實用新型等離子體放電裝置,能夠以較低擊穿電壓產生均勻大面積的等離子體。
其它備注: