| 專利名稱: | 一種消除反應(yīng)離子刻蝕自偏壓的方法及系統(tǒng) |
| 專利類別: | 發(fā)明 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810223342.4 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-09-26 |
| 專利號(hào): | |
| 第一發(fā)明人: | 劉訓(xùn)春，王佳，周宗義，李兵，王建海，黃清華 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | ZL200810223342.4 |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 八室四組 |
科研產(chǎn)出